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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF2906J | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2907E | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2907J | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| FF2AG | GOOD-ARK |
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| FF2MR12KM1 | INFINEON |
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62 mm?1200 V,?2 mΩ半桥模块，采用CoolSiC? MOSFET芯片。 |
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| FF2MR12KM1H | INFINEON |
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62 mm?CoolSiC? MOSFET?half bridge module 1200 |
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| FF2MR12KM1HP | INFINEON |
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TIM |
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| FF2MR12KM1P | INFINEON |
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TIM |
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| FF2MR12W3M1H_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF2S | GOOD-ARK |
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Surface Mount Glass Passivated Fast Recovery Rectifier |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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