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FF300R06KE3_B2

更新时间： 2024-11-18 14:56:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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8页	462K
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M5-screw nut

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FF300R06KE3_B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	2.14	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FF300R06KE3_B2 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R06KE3_B2

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3,ꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀundꢀM5ꢀLastanschlüssenꢀ

62mmꢀC-Serienꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3,ꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀandꢀM5ꢀpowerꢀterminalsꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 70°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

300

400

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

940

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 12,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

3,20

1,0

19,0

0,57

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,49

0,52

0,53

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on

E_off

3,10

3,30

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

12,0

12,5

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

2100

1500

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,03

ꢀ

0,16 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R06KE3B2HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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FF300R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| MODULE-S
FF300R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C)
FF300R06ME3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF300R07KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FF300R07KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 365A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R07ME4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

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