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FF300R06KE3

更新时间： 2024-11-06 14:56:35

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	462K
描述
62 mm 600 V, 300 A dual IGBT module?with TRENCHSTOP? IGBT3 and Emitter Controlled3 Diode.

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FF300R06KE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	400 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	940 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	600 ns
标称接通时间 (ton)：	190 ns	VCEsat-Max：	1.9 V
Base Number Matches：	1

FF300R06KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R06KE3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-Serienꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 70°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

300

400

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

940

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

3,20

1,0

19,0

0,57

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,49

0,52

0,53

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,05

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 6500 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

E_on

E_off

3,10

3,30

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

12,0

12,5

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

2100

1500

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,03

ꢀ

0,16 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.0

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

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与FF300R06KE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R06KE3_B2	EUPEC	获取价格	62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3, EmCon3 diode and M5 power terminals
FF300R06KE3_B2	INFINEON	获取价格	M5-screw nut
FF300R06KE3B2HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FF300R06KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| MODULE-S
FF300R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C) \| M:HL093HW048
FF300R06KL2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 300A I(C)
FF300R06ME3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF300R07KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode

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