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FDPF15N65 PDF预览

FDPF15N65

更新时间： 2024-11-24 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 1437K
描述
650V N-Channel MOSFET

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FDPF15N65 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：637 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：73.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPF15N65 数据手册

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October 2006  
TM  
UniFET  
FDP15N65 / FDPF15N65  
650V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
15A, 650V, RDS(on) = 0.44Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 48.5 nC)  
Low Crss ( typical 23.6 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
FDP Series  
TO-220F  
FDPF Series  
G D  
S
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP15N65 FDPF15N65  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
650  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
15  
9.5  
15*  
9.5*  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
60  
60*  
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
± 30  
637  
15  
V
mJ  
A
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
25.0  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
250  
2.0  
73.5  
0.59  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
* Drain current limited by maximum junction termperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP15N65 FDPF15N65  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
0.5  
0.5  
1.7  
--  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP15N65 / FDPF15N65 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FDPF15N65 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDPF15N65YDTU FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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