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FDMS8660S PDF预览

FDMS8660S

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 441K
描述
N-Channel PowerTrench SyncFET (30V, 40A, 2.4mOHM)

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FDMS8660S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.41
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：25 A
最大漏源导通电阻：0.0039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDMS8660S 数据手册

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August 2006  
FDMS8660S  
tm  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
30V, 40A, 2.4mΩ  
Features  
General Description  
The FDMS8660S has been designed to minimize losses in  
power conversion applications. Advancements in both silicon  
and package technologies have been combined to offer the  
lowest RDS(ON) while maintaining excellent switching  
performance. This device has the added benefit of an efficient  
monolithic Schottky body diode.  
„ Max rDS(on) = 2.4mΩ at VGS = 10V, ID = 25A  
„ Max rDS(on) = 3.5mΩ at VGS = 4.5V, ID = 21A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low RDS(ON)  
and high efficiency  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
Application  
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Notebook Vcore/ GPU low side switch  
„ Networking Point of Load low side switch  
„ Telecom secondary side rectification  
Pin 1  
S
S
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
D
MLP5x6 (Bottom view)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
40  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
T
147  
25  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
-Pulsed  
200  
83  
Power Dissipation  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
PD  
W
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.5  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDMS8660S  
FDMS8660S  
MLP5X6  
13’’  
3000 units  
1
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8660S Rev.C (W)  
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDMS8660S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS7670AS FAIRCHILD

类似代替

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功能相似

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与FDMS8660S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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