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FDFS2P102AL99Z

更新时间： 2024-11-13 19:41:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDFS2P102AL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.3 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDFS2P102AL99Z 数据手册

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August 2001  
FDFS2P102A  
Integrated P-Channel PowerTrenchMOSFET and Schottky Diode  
General Description  
Features  
The  
FDFS2P102A  
combines  
the  
exceptional  
• –3.3 A, –20V RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = –4.5 V  
performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET  
technology with  
a very low forward voltage drop  
Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.  
• V < 0.39 V @ 1 A (TJ = 125°C)  
F
V < 0.47 V @ 1 A  
V < 0.58 V @ 2 A  
F
F
This device is designed specifically as a single package  
solution for DC to DC converters. It features a fast  
switching, low gate charge MOSFET with very low on-  
state resistance.  
The independently connected  
• Schottky and MOSFET incorporated into single  
power surface mount SO-8 package  
Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC  
converter topologies.  
• Electrically independent Schottky and MOSFET  
pinout for design flexibility  
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
S
C
C
D
D
C
C
G
SO-8  
S
G
A
Pin 1  
A
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
MOSFET Drain-Source Voltage  
MOSFET Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Ratings  
–20  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
V
V
A
20  
(Note 1a)  
–3.3  
–10  
2
1.6  
1
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
VRRM  
IO  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
°C  
V
A
–55 to +150  
20  
1
Schottky Average Forward Current  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDFS2P102A  
FDFS2P102A  
13’’  
FDFS2P102A Rev A1(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDFS2P102A-NBGS001A FAIRCHILD

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 		Transistor
FDFS2P102D84Z FAIRCHILD

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FDFS2P102F011 FAIRCHILD

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