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FDFS6N303 PDF预览

FDFS6N303

更新时间： 2024-11-12 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体肖特基二极管晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 97K
描述
N-Channel MOSFET with Schottky Diode

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FDFS6N303 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.31配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDFS6N303 数据手册

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October 2001  
FDFS6N303  
N-Channel MOSFET with Schottky Diode  
General Description  
Features  
6 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS = 10 V.  
= 0.050 W @ VGS = 4.5 V.  
Fairchild Semiconductor's FETKEY technology incorporates  
a high cell density MOSFET and low forward drop (0.35V)  
Schottky diode into a single surface mount power package.  
The MOSFET and Schottky diode are isolated inside the  
package. The general purpose pinout has been chosen to  
maximize flexibility and ease of use. FETKEY products are  
particularly suited for switching applications such as DC/DC  
buck, boost, synchronous, and non-synchronous converters  
where the MOSFET is driven as low as 4.5V and fast  
R
DS(ON)  
VF < 0.28 V @ 0.1 A  
VF < 0.42 V @ 3 A  
VF < 0.50 V @ 6 A.  
Schottky and MOSFET incorporated into single power  
surface mount SO-8 package.  
switching, high efficiency and small PCB footprint  
is  
General purpose pinout for design flexibility.  
Ideal for DC/DC converter applications.  
desirable.  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
D
C
C
A
A
1
2
3
4
8
7
D
C
C
D
D
S
6
5
G
S
G
A
SO-8  
1
pin  
A
MOSFET Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
FDFS6N303  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
±20  
V
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
6
A
30  
2
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
(Note 1a)  
(Note 1c)  
1.6  
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Schottky Diode Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
30  
2
V
A
IO  
Average Forward Current  
(Note 1a)  
© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFS6N303 Rev. D1  
12345

中文翻译

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FDFS6N303 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4435DY FAIRCHILD

类似代替

 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4953 FAIRCHILD

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与FDFS6N303相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDFS6N303_03 FAIRCHILD

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 		N-Channel MOSFET with Schottky Diode
FDFS6N303D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDFS6N303L86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDFS6N303S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDFS6N548 FAIRCHILD

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 		Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mohm
FDFS6N548 ONSEMI

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 		集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，7A，
FDFS6N754 FAIRCHILD

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 		Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM
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 		集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，4A，
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 		Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval, Available with Established R
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 		CONN PLUG MALE 7POS SOLDER CUP

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