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FDFS6N548

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 448K
描述
Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mohm

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FDFS6N548 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：12 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDFS6N548 数据手册

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January 2007  
FDFS6N548  
tm  
®
Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode  
30V, 7A, 23mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 23mΩ at VGS = 10V, ID = 7A  
„ Max rDS(on) = 30mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6A  
„ VF < 0.45V @ 2A  
The FDFS6N548 combines the exceptional performance of  
Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low  
forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8  
package.  
VF < 0.28V @ 100mA  
This device is designed specifically as a single package solution  
for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate  
charge MOSFET with very low on-state resistance. The  
independently connected Schottky diode allows its use in a  
variety of DC/DC converter topologies.  
„ Schottky and MOSFET incorporated into single power surface  
mount SO-8 package  
„ Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for  
design flexibility  
Application  
„ Low Miller Charge  
„ DC/DC Conversion  
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
S
C
C
D
D
C
C
G
SO-8  
S
G
A
Pin 1  
A
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
30  
V
V
±20  
(Note 1a)  
7
ID  
A
30  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Drain-Source Avalanche Energy  
2
PD  
W
(Note 1a)  
(Note 3)  
1.6  
EAS  
12  
mJ  
V
VRRM  
IO  
Schotty Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schotty Average Forward Current  
20  
2
(Note 1a)  
A
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
2500 units  
FDFS6N548  
FDFS6N548  
SO-8  
330mm  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFS6N548 Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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