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FDG1024NZ

更新时间： 2024-11-14 11:09:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 273K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20 V，1.2 A，175 mΩ

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FDG1024NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.98
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1053456Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：RBR10T30ANZC9Samacsys Released Date：2019-05-28 13:57:43
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.2 A
最大漏极电流 (ID)：1.2 A最大漏源导通电阻：0.175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：25 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDG1024NZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual N-Channel,  
POWERTRENCH®  
S2  
G2  
D1  
D2  
G1  
20ꢀV, 1.2ꢀA, 175ꢀmW  
S1  
Pin 1  
SC−88/SC−70 6 Lead, 1.25 x 2  
FDG1024NZ  
CASE 419AD  
Description  
MARKING DIAGRAM  
This dual N−Channel logic level enhancement mode field effect  
transistors are produced using onsemi’s proprietary, high cell density,  
DMOS technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on−state resistance. This device has been  
designed especially for low voltage applications as a replacement for  
bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias  
resistors are not required, this dual digital FET can replace several  
different digital transistors, with different bias resistor values.  
&E&E&E  
&Y  
&.4N&G  
&E  
= Designates Space  
&Y  
&.4N  
&G  
= Binary Calendar Year  
= Specific Device Code  
= 1−Digit Weekly Date Code  
Features  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
= 175 mW at V = 4.5 V, I = 1.2 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
= 215 mW at V = 2.5 V, I = 1.0 A  
GS  
D
= 270 mW at V = 1.8 V, I = 0.9 A  
GS  
D
ELECTRICAL CONNECTION  
= 389 mW at V = 1.5 V, I = 0.8 A  
GS  
D
• HBM ESD Protection Level > 2 kV (Note 3)  
• Very Low Level Gate Drive Requirements Allowing Operation  
S1  
1 or 4*  
6 or 3  
in 1.5 V Circuits (V  
) < 1 V)  
D1  
GS(th  
• Very Small Package Outline SC−88/SC−70 6 Lead  
• RoHS Compliant  
• These Device is Halogen Free  
G1  
2 or 5  
5 or 2 G2  
D2 3 or 6  
4 or 1*  
S2  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
N−Channel MOSFET  
V
DS  
V
GS  
20  
8
V
* The pinouts are symmetrical; pin 1 and 4 are  
interchangeable.  
Units inside the carrier can be of either orientation  
and will not affect the functionality of the device.  
I
D
Drain Current Continuous T = 25°C  
1.2  
A
A
(Note 1a)  
Pulsed  
6
0.36  
P
Power  
T = 25°C (Note 1a)  
A
W
D
ORDERING INFORMATION  
Dissipation  
T = 25°C (Note 1b)  
0.30  
A
See detailed ordering and shipping information on  
page 3 of this data sheet.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Publication Order Number:  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
FDG1024NZ/D  
February, 2022 − Rev. 2  
12345678

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FDG1024NZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1988DH-T1-E3 VISHAY

功能相似

 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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