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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.43 |
| Samacsys Description： | FDFS6N754, N-channel MOSFET Transistor, 4A 30V, 8-Pin SO | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.056 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDG, FDK, FDP | VISHAY |
获取价格 |
Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval, Available with Established R |
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| FDG.1B.307.CLAD42 | ETC |
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CONN PLUG MALE 7POS SOLDER CUP |
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| FDG.1B.307.CLAM27Z | ETC |
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CONN PLUG MALE 7POS SOLDER CUP |
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| FDG.1B.310.CYCD72Z | ETC |
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CONN PLUG MALE 10POS GOLD CRIMP |
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| FDG.2B.310.CLAD62Z | ETC |
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CONN PLUG MALE 10POS SOLDER CUP |
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| FDG1024NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 20 V, 1.2 |
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| FDG1024NZ | ONSEMI |
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双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20 V，1.2 A，175 mΩ |
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| FDG2JK106G++2GL5 | AISHI |
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Film DC-Link |
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| FDG2JK107M++4MD5 | AISHI |
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Film DC-Link |
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| FDG2JK117M++4MD5 | AISHI |
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Film DC-Link |
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