Datasheet > FDFS6N303S62Z

FDFS6N303S62Z

更新时间： 2024-09-25 19:34:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	70K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDFS6N303S62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDFS6N303S62Z 数据手册

October 2001

FDFS6N303

FETKEY N-Channel MOSFET with Schottky Diode

General Description

Features

6 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.035 W @ V_GS= 10 V.

= 0.050 W @ V_GS= 4.5 V.

Fairchild Semiconductor's FETKEY technology incorporates

a high cell density MOSFET and low forward drop (0.35V)

Schottky diode into a single surface mount power package.

The MOSFET and Schottky diode are isolated inside the

package. The general purpose pinout has been chosen to

maximize flexibility and ease of use. FETKEY products are

particularly suited for switching applications such as DC/DC

buck, boost, synchronous, and non-synchronous converters

where the MOSFET is driven as low as 4.5V and fast

DS(ON)

V_F< 0.28 V @ 0.1 A

V_F< 0.42 V @ 3 A

V_F< 0.50 V @ 6 A.

Schottky and MOSFET incorporated into single power

surface mount SO-8 package.

switching, high efficiency and small PCB footprint

General purpose pinout for design flexibility.

Ideal for DC/DC converter applications.

desirable.

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Parameter

FDFS6N303

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Schottky Diode Maximum Ratings T_A= 25^oC unless otherwise noted

V_RRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

I_O

Average Forward Current

(Note 1a)

FDFS6N303 Rev. D

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDFS6N303S62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDFS6N548	FAIRCHILD	获取价格	Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mohm
FDFS6N548	ONSEMI	获取价格	集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，7A，
FDFS6N754	FAIRCHILD	获取价格	Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM
FDFS6N754	ONSEMI	获取价格	集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，4A，
FDG, FDK, FDP	VISHAY	获取价格	Axial Vitreous Leaded Wirewound Resistors with CECC Approval, Available with Established R
FDG.1B.307.CLAD42	ETC	获取价格	CONN PLUG MALE 7POS SOLDER CUP
FDG.1B.307.CLAM27Z	ETC	获取价格	CONN PLUG MALE 7POS SOLDER CUP
FDG.1B.310.CYCD72Z	ETC	获取价格	CONN PLUG MALE 10POS GOLD CRIMP
FDG.2B.310.CLAD62Z	ETC	获取价格	CONN PLUG MALE 10POS SOLDER CUP
FDG1024NZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 20 V, 1.2

与FDFS6N303S62Z相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

4
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

6
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDFS6N303S62Z

FDFS6N303S62Z 技术参数

FDFS6N303S62Z 数据手册

与FDFS6N303S62Z相关器件

与FDFS6N303S62Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDFS6N303S62Z

FDFS6N303S62Z 技术参数

FDFS6N303S62Z 数据手册

与FDFS6N303S62Z相关器件

与FDFS6N303S62Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？