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FDFS6N548

更新时间： 2024-11-14 11:12:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 328K
描述
集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，7A，23mΩ

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FDFS6N548 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.05
Samacsys Description：MOSFET N-Channel 30V 7A +Schottky SOIC8 Fairchild FDFS6N548 N-channel MOSFET Transistor, 7 A, 30 V, 8-Pin SO雪崩能效等级（Eas）：12 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDFS6N548 数据手册

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FDFS6N548  
Integrated N-Channel  
POWERTRENCH® MOSFET  
and Schottky Diode  
Description  
The FDFS6N548 combines the exceptional performance of  
ON Semiconductor’s PowerTrench MOSFET technology with a very  
low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO−8 package.  
This device is designed specifically as a single package solution for  
DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge  
MOSFET with very low on−state resistance. The independently  
connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC  
converter topologies.  
www.onsemi.com  
D
D
C
C
G
S
A
Features  
A
Pin 1  
• Max r  
• Max r  
= 23 mW at V = 10 V, I = 7 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
SOIC8  
CASE 751EB  
= 30 mW at V = 4.5 V, I = 6 A  
GS  
D
• V < 0.45 V @ 2 A  
F
V < 0.28 V @ 100 mA  
F
• Schottky and MOSFET Incorporated into Single Power Surface  
Mount SO−8 Package  
• Electrically Independent Schottky and MOSFET Pinout for Design  
Flexibility  
1
8
7
6
5
A
A
S
G
C
C
D
D
2
3
4
• Low Miller Charge  
Application  
• DC/DC Conversion  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Value  
30  
20  
7
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
V
I
D
Drain Current  
Continuous (Note 1a)  
A
Pulsed  
30  
2
P
D
Power Dissipation  
Dual Operation  
W
Single Operation (Note 1a)  
1.6  
12  
30  
2
E
Drain−Source Avalanche Energy (Note 3)  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current (Note 1a)  
mJ  
V
AS  
V
RRM  
I
O
A
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
78  
_C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
40  
_C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
July, 2018 − Rev. 2  
FDFS6N548/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDFS6N754 FAIRCHILD

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 		Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM
FDFS6N754 ONSEMI

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 		集成式 N 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，30V，4A，
FDG, FDK, FDP VISHAY

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 		Film DC-Link

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