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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDFS2P103
FDFS2P103 PDF预览

FDFS2P103

更新时间： 2024-09-24 22:22:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
9页 296K
描述
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFS2P103 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.26配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.059 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDFS2P103 数据手册

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September 2001  
FDFS2P103  
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode  
General Description  
Features  
The  
performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET  
technology with very low forward voltage drop  
FDFS2P103  
combines  
the  
exceptional  
• –5.3 A, –30V RDS(ON) = 59 mΩ @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 92 mΩ @ VGS = –4.5 V  
a
Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.  
• V < 0.52 V @ 1 A (TJ = 125°C)  
F
V < 0.57 V @ 1 A (TJ = 25°C)  
F
This device is designed specifically as a single package  
solution for DC to DC converters. It features a fast  
switching, low gate charge MOSFET with very low on-  
• Schottky and MOSFET incorporated into single  
state resistance.  
The independently connected  
power surface mount SO-8 package  
Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC  
converter topologies.  
• Electrically independent Schottky and MOSFET  
pinout for design flexibility  
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
S
C
C
D
D
C
C
G
SO-8  
S
G
A
Pin 1  
A
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
MOSFET Drain-Source Voltage  
MOSFET Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Ratings  
Units  
V
V
A
–30  
VGSS  
±25  
–5.3  
–20  
2
ID  
(Note 1a)  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
TJ, TSTG  
VRRM  
IO  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
°C  
V
–55 to +150  
30  
Schottky Average Forward Current  
(Note 1a)  
1
A
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2500 units  
FDFS2P103  
FDFS2P103  
13’’  
12mm  
FDFS2P103 Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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