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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDFS2P753AZ
FDFS2P753AZ PDF预览

FDFS2P753AZ

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 237K
描述
Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ

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FDFS2P753AZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
雪崩能效等级（Eas）：6 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.115 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDFS2P753AZ 数据手册

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July 2007  
FDFS2P753AZ  
tm  
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode  
-30V, -3A, 115mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 115mΩ at VGS = -10V, ID = -3.0A  
„ Max rDS(on) = 180mΩ at VGS = -4.5V, ID = -1.5A  
„ VF < 0.45V @ 2A  
The FDFS2P753AZ offers a single package solution for DC/DC  
conversion. It combines an excellent Fairchild’s PowerTrench  
MOSFET with a Schottky diode in an SO-8 package. The  
MOSFET features a low on-state resistance and an optimized  
gate charge to achieve fast switching. The independently  
connected Schottky diode has a low forward voltage drop to  
minimize power loss. This device is an Ideal DC-DC solution for  
up to 3A peak load current.  
VF < 0.28V @ 100mA  
„ Schottky and MOSFET incorporated into single power surface  
mount SO-8 package  
Applications  
„ Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for  
design flexibility  
„ DC - DC Conversion  
„ RoHS Compliant  
D
D
C
G
S
A
A
D
D
C
C
5
6
4
3
C
7
8
2
1
G
S
A
A
Pin 1  
SO-8  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
-30  
V
V
VGS  
ID  
±25  
(Note 1a)  
-3  
A
-16  
Power Dissipation  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
3.1  
PD  
W
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 2)  
1.6  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
6
mJ  
V
VRRM  
IO  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current  
30  
2
A
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
40  
78  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
330mm  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDFS2P753AZ  
FDFS2P753AZ  
SO-8  
2500units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFS2P753AZ Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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FDFS2P753AZ 替代型号

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