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FDFS2P103D84Z

更新时间： 2024-09-25 20:58:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	295K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDFS2P103D84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.3 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDFS2P103D84Z 数据手册

September 2001

FDFS2P103

Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

General Description

Features

The

performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET

technology with very low forward voltage drop

FDFS2P103

combines

the

exceptional

• –5.3 A, –30V R_DS(ON)= 59 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 92 mΩ @ V_GS= –4.5 V

Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.

• V < 0.52 V @ 1 A (T_J= 125°C)

V < 0.57 V @ 1 A (T_J= 25°C)

This device is designed specifically as a single package

solution for DC to DC converters. It features a fast

switching, low gate charge MOSFET with very low on-

• Schottky and MOSFET incorporated into single

state resistance.

The independently connected

power surface mount SO-8 package

Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC

converter topologies.

• Electrically independent Schottky and MOSFET

pinout for design flexibility

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

MOSFET Drain-Source Voltage

MOSFET Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

Ratings

Units

–30

V_GSS

±25

–5.3

–20

I_D

(Note 1a)

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J, T_STG

V_RRM

I_O

Operating and Storage Junction Temperature Range

Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage

°C

–55 to +150

Schottky Average Forward Current

(Note 1a)

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

2500 units

FDFS2P103

13’’

12mm

FDFS2P103 Rev C(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDFS2P103F011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDFS2P103L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDFS2P106A	FAIRCHILD	获取价格	Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET
FDFS2P106A	ONSEMI	获取价格	集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，-60V，-3
FDFS2P106A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDFS2P106AF011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDFS2P106AL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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