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FDD4685_F085

更新时间： 2024-11-20 19:57:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 353K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.027ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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FDD4685_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.62
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：121 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD4685_F085 数据手册

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October 2006  
FDD4685  
tm  
40V P-Channel PowerTrench® MOSFET  
–40V, –32A, 27mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 27mΩ at VGS = –10V, ID = –8.4A  
„ Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –7A  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ RoHS Compliant  
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild  
Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to  
deliver low rDS(on) and good switching characteristic offering  
superior performance in application.  
Application  
„ Inverter  
„ Power Supplies  
S
G
D
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
D
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
–40  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous(Package Limited)  
-Continuous(Silicon Limited)  
-Continuous  
TC= 25°C  
TC= 25°C  
TA= 25°C  
–32  
(Note 1)  
–40  
ID  
A
(Note 1a)  
–8.4  
-Pulsed  
–100  
121  
EAS  
Drain-Source Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
mJ  
W
TC= 25°C  
69  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.8  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDD4685  
FDD4685  
D-PAK(TO-252)  
2500 units  
1
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD4685 Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDD4685_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD4685 FAIRCHILD

类似代替

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