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FDC3512

更新时间： 2024-02-14 12:06:34

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	270K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，3.0A，77mΩ

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FDC3512 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC3512 数据手册

MECHANICAL CASE OUTLINE

PACKAGE DIMENSIONS

TSOT23 6−Lead

CASE 419BL

ISSUE A

DATE 31 AUG 2020

SCALE 2:1

GENERIC

MARKING DIAGRAM*

XXX MG

XXX = Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*This information is generic. Please refer to

device data sheet for actual part marking.

Pb−Free indicator, “G” or microdot “ G”,

may or may not be present. Some products

may not follow the Generic Marking.

Electronic versions are uncontrolled except when accessed directly from the Document Repository.

Printed versions are uncontrolled except when stamped “CONTROLLED COPY” in red.

DOCUMENT NUMBER:

DESCRIPTION:

98AON83292G

TSOT23 6−Lead

PAGE 1 OF 1

ON Semiconductor and

are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.

ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding

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disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the

rights of others.

www.onsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC3512_F073	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC3512_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512-F095	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC3512L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3535	ONSEMI	获取价格	-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET
FDC3600	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM),
FDC3601N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET
FDC3601N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ

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