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FDC3512L99Z

更新时间： 2024-02-09 16:43:30

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	133K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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技术参数
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FDC3512L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC3512L99Z 数据手册

February 2002

FDC3512

80V N-Channel PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

low gate charge, low R_DS(ON)and fast switching speed.

• 3.0 A, 80 V

R_DS(ON)= 77 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 88 mΩ @ V_GS= 6 V

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• Low gate charge (13nC typ)

• High power and current handling capability

• Fast switching speed

• DC/DC converter

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

3.0

(Note 1a)

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

R_θJC

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

.352

FDC3512

7’’

8mm

3000 units

FDC3512 Rev B2 (W)

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与FDC3512L99Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDC3535	ONSEMI	-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET	获取价格
FDC3600	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM),	获取价格
FDC3601N	FAIRCHILD	Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET	获取价格
FDC3601N	ONSEMI	双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ	获取价格
FDC3601N_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
FDC3601ND84Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格