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FDC3512

更新时间： 2023-09-03 20:37:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 270K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，3.0A，77mΩ

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FDC3512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC3512 数据手册

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FDC3512  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
DRAIN−SOURCE DIODE AVALANCHE RATINGS (Note 2)  
W
Drain–Source Avalanche Energy  
Drain–Source Avalanche Current  
Single Pulse, V = 40 V, I = 3.0 A  
−
−
−
−
90  
mJ  
A
DSS  
DD  
D
I
3.0  
AR  
OFF CHARACTERISTICS  
BV  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
I
= 0 V, I = 250 mA  
80  
−
−
−
−
V
DSS  
GS  
D
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
= 250 mA, Referenced to 25°C  
80  
mV/°C  
DBVDSS  
DTJ  
D
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate–Body Leakage, Forward  
Gate–Body Leakage, Reverse  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
= 64 V, V = 0 V  
−
−
−
−
−
−
1
mA  
nA  
nA  
DSS  
GS  
I
= 20 V, V = 0 V  
100  
–100  
GSSF  
GSSR  
DS  
I
= –20 V, V = 0 V  
DS  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
V
Gate Threshold Voltage  
V
I
= V , I = 250 mA  
2
−
2.4  
–6  
4
−
V
GS(th)  
DS  
GS  
D
Gate Threshold Voltage Temperature  
Coefficient  
= 250 mA, Referenced to 25_C  
mV/°C  
DVGS(th)  
DTJ  
D
R
Static Drain–Source On Resistance  
V
V
V
= 10 V, I = 3.0 A  
−
−
−
56  
61  
97  
77  
88  
mW  
DS(on)  
GS  
GS  
GS  
D
= 6.0 V, I = 2.8 A  
D
= 10 V, I = 3.0 A, T = 125_C  
141  
D
J
I
On–State Drain Current  
V
GS  
V
DS  
= 10 V, V = 5 V  
10  
−
−
−
−
A
S
D(on)  
DS  
g
FS  
Forward Transconductance  
= 10 V, I = 3.0 A  
14  
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
C
Input Capacitance  
V
DS  
= 40 V, V = 0 V, f = 1.0 MHz  
−
−
−
634  
58  
−
−
−
pF  
pF  
pF  
iss  
GS  
C
oss  
Output Capacitance  
C
rss  
Reverse Transfer Capacitance  
28  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)  
t
Turn–On Delay Time  
Turn–On Rise Time  
Turn–Off Delay Time  
Turn–Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
V
R
= 40 V, I = 1 A, V = 10 V,  
−
−
−
−
−
−
−
7
3
14  
6
ns  
ns  
d(on)  
DD  
D
GS  
= 6 W  
GEN  
t
r
t
24  
4
28  
8
ns  
d(off)  
t
f
ns  
Q
g
V
DS  
= 40 V, I = 3.0 A, V = 10 V  
13  
2.4  
2.8  
18  
−
nC  
nC  
nC  
D
GS  
Q
gs  
gd  
Q
−
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATING  
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
I
S
−
−
−
−
−
1.3  
1.2  
−
A
V
V
Drain–Source Diode Forward Voltage  
Diode Reverse Recovery Time  
V
= 0 V, I = 1.3 A (Note 2)  
0.8  
28.2  
48  
SD  
GS  
S
t
I = 3.0 A, d /d = 300 A/ms (Note 2)  
F
nS  
nC  
rr  
iF  
t
Q
rr  
Diode Reverse Recovery Charge  
−
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, Duty cycle < 2.0%.  
www.onsemi.com  
2
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC3512_F073 FAIRCHILD

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FDC3601N FAIRCHILD

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