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FDC3512D87Z

更新时间： 2024-11-18 14:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC3512D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.077 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC3512D87Z 数据手册

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May 2001  
FDC3512  
80V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 3.0 A, 80 V  
RDS(ON) = 77 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 88 mΩ @ VGS = 6 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• Low gate charge (13nC typ)  
• High power and current handling capability  
• Fast switching speed  
• DC/DC converter  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
80  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
± 20  
ID  
(Note 1a)  
3.0  
20  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.512  
FDC3512  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC3512 Rev B1 (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDC3512D87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC3512-F095 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC3512L99Z FAIRCHILD

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FDC3600 FAIRCHILD

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FDC3601N FAIRCHILD

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