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FDC3601N PDF预览

FDC3601N

更新时间： 2024-11-19 11:13:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 328K
描述
双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ

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FDC3601N 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：0.73
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：166977Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SSOT 6LSamacsys Released Date：2015-04-13 16:42:52
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC3601N 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
100 V  
500 mW @ 10 V  
550 mW @ 6.0 V  
1.0 A  
100 V Specified  
FDC3601N  
D2  
S1  
General Description  
D1  
These N−Channel 100 V specified MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize on−state resistance and yet maintain  
low gate charge for superior switching performance.  
These devices have been designed to offer exceptional power  
dissipation in a very small footprint for applications where the bigger  
more expensive SO−8 and TSSOP−8 packages are impractical.  
G2  
S2  
G1  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOT−6  
CASE 419BL  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• 1.0 A, 100 V  
R
R
= 500 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
XXX MG  
= 550 W @ V = 6.0 V  
DS(ON)  
GS  
G
• Low Gate Charge (3.7 nC Typical)  
1
• Fast Switching Speed  
XXX = Specific Device Code  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
DS(ON)  
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint 72% (Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
• This is a Pb−Free Device  
PINOUT  
Applications  
• Load Switch  
• Battery Protection  
• Power Management  
4
5
6
3
2
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
100  
20  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
1.0  
A
4.0  
A
P
Power  
Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
0.96  
0.9  
W
W
W
°C  
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.7  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range −55 to +150  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1a)  
130  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
60  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
December, 2021 − Rev. 4  
FDC3601N/D  
1234567

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FDC3601N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC8602 ONSEMI

类似代替

 双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100 V，1.2 A，35

与FDC3601N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC3601N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDC3601ND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDC3601ND87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDC3601NL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDC3601NS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDC3612 FAIRCHILD

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 		100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC3612 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，2.6A，125mΩ
FDC3612 (KDC3612) KEXIN

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 		N-Channel MOSFET
FDC3612_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDC3612A (KDC3612A) KEXIN

获取价格

 		N-Channel MOSFET

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