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FDC3601N PDF预览

FDC3601N

更新时间： 2024-02-19 05:39:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 328K
描述
双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ

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FDC3601N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC3601N 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
100 V  
500 mW @ 10 V  
550 mW @ 6.0 V  
1.0 A  
100 V Specified  
FDC3601N  
D2  
S1  
General Description  
D1  
These N−Channel 100 V specified MOSFETs are produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize on−state resistance and yet maintain  
low gate charge for superior switching performance.  
These devices have been designed to offer exceptional power  
dissipation in a very small footprint for applications where the bigger  
more expensive SO−8 and TSSOP−8 packages are impractical.  
G2  
S2  
G1  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOT−6  
CASE 419BL  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• 1.0 A, 100 V  
R
R
= 500 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
XXX MG  
= 550 W @ V = 6.0 V  
DS(ON)  
GS  
G
• Low Gate Charge (3.7 nC Typical)  
1
• Fast Switching Speed  
XXX = Specific Device Code  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
DS(ON)  
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint 72% (Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
• This is a Pb−Free Device  
PINOUT  
Applications  
• Load Switch  
• Battery Protection  
• Power Management  
4
5
6
3
2
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
100  
20  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
1.0  
A
4.0  
A
P
Power  
Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
0.96  
0.9  
W
W
W
°C  
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.7  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range −55 to +150  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1a)  
130  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
60  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
December, 2021 − Rev. 4  
FDC3601N/D  
1234567

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