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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC3601N
FDC3601N PDF预览

FDC3601N

更新时间： 2024-11-17 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET

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FDC3601N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC3601N 数据手册

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August 2001  
FDC3601N  
Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
• 1.0 A, 100 V. RDS(ON)= 500 mΩ @ VGS = 10 V  
These N-Channel 100V specified MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize on-state resistance and yet maintain low  
gate charge for superior switching performance.  
RDS(ON)= 550 mΩ @ VGS = 6.0 V  
• Low gate charge (3.7nC typical)  
• Fast switching speed.  
These devices have been designed to offer exceptional  
• High performance trench technology for extremely  
power dissipation in  
a very small footprint for  
low R DS(ON)  
.
applications where the bigger more expensive SO-8  
and TSSOP-8 packages are impractical.  
• SuperSOTTM-6 package: small footprint 72%  
Applications  
• Load switch  
(smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick).  
• Battery protection  
• Power management  
D2  
S1  
4
5
6
3
2
1
D1  
G2  
S2  
SuperSOT TM-6  
G1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
100  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
1.0  
4.0  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.96  
0.9  
PD  
W
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
130  
60  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.601  
FDC3601N  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC3601N Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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