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FDC3512

更新时间： 2024-01-15 17:24:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 270K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，3.0A，77mΩ

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FDC3512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC3512 数据手册

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FDC3512  
TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
20  
15  
10  
5
1.8  
V
= 10 V  
GS  
6.0 V  
1.6  
1.4  
1.2  
1
5.0 V  
V
GS  
= 4.0 V  
4.5 V  
4.0 V  
4.5 V  
5.0 V  
6.0 V  
10 V  
0
0.8  
0
1
2
3
4
5
0
5
10  
15  
20  
V
DS  
, DRAIN−SOURCE VOLTAGE (V)  
I , DRAIN CURRENT (A)  
D
Figure 1. On−Region Characteristics  
Figure 2. On−Resistance Variation with  
Drain Current and Gate Voltage  
2.5  
2.2  
1.9  
1.6  
1.3  
1
0.18  
I
V
= 3.0 A  
= 10 V  
I = 1.5 A  
D
D
GS  
0.14  
0.1  
T = 125°C  
A
T = 25°C  
A
0.06  
0.02  
0.7  
0.4  
−50 −25  
0
25 50 75 100 125 150 175  
2
4
6
8
10  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
V
GS  
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. On−Resistance Variation with  
Temperature  
Figure 4. On−Resistance Variation with  
Gate−to−Source Voltage  
100  
10  
20  
V
DS  
= 5 V  
V
GS  
= 0 V  
15  
10  
5
1
T = 125°C  
A
25°C  
0.1  
T = 125°C  
A
0.01  
0.001  
0.0001  
−55°C  
25°C  
−55°C  
0
2
3
4
5
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
V
GS  
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
V
SD  
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure 6. Body Diode Forward Voltage  
Variation with Source Current and Temperature  
www.onsemi.com  
3
1234567

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与FDC3512相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC3512_F073 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC3512_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512D87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3512-F095 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDC3512L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDC3535 ONSEMI

获取价格

 		-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET
FDC3600 FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM),
FDC3601N FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET
FDC3601N ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ

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