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FDC30N20DZ PDF预览

FDC30N20DZ

更新时间： 2024-11-22 11:14:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 411K
描述
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，30V，4.6A，31mΩ

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FDC30N20DZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
30 V  
31 mW @ 10 V  
38 mW @ 4.5 V  
4.6 A  
30 V, 4.6 A, 31 mW  
FDC30N20DZ  
D2  
S1  
D1  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process. This process has been optimized for  
G2  
S2  
G1  
r
, switching performance and ruggedness.  
DS(on)  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOTt−6  
CASE 419BL  
Features  
• Max r  
= 31 mW at V = 10 V, I = 4.6 A  
GS D  
DS(on)  
• Max r  
= 38 mW at V = 4.5 V, I = 4.2 A  
GS D  
DS(on)  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low r  
• Fast Switching Speed  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
• 100% UIL Tested  
30N MG  
G
• Typical CDM ESD Protection Level > 2.0 kV (Note 5)  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
1
30N = Specific Device Code  
Applications  
M
= Date Code  
• Load Switch  
• Synchronous Rectifier  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
PINOUT  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Continuous (Note 1a)  
Pulsed (Note 4)  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Ratings  
Units  
V
V
DS  
V
GS  
30  
20  
V
G1  
D1  
I
D
4.6  
A
30  
3
A
S2  
S1  
D2  
E
AS  
mJ  
W
G2  
P
D
Power  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.96  
Dissipation  
0.69  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
130  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
180  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 2  
FDC30N20DZ/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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