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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SSOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC3512_F073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDC3512_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDC3512D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDC3512D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| FDC3512-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDC3512L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDC3535 | ONSEMI |
获取价格 |
-80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET |
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| FDC3600 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), |
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| FDC3601N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDC3601N | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，100V 指定 PowerTrench® MOSFET，1.0A，500mΩ |
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