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FDC3512

更新时间： 2024-02-14 15:04:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 270K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，3.0A，77mΩ

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FDC3512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC3512 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
80 V  
77 mW @ 10 V  
88 mW @ 6 V  
3.0 A  
80 V  
FDC3512  
S
D
D
General Description  
G
D
This N−Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using either  
synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been  
D
TSOT23 6−Lead  
(SUPERSOTt−6)  
CASE 419BL  
optimized for low gate charge, low R  
and fast switching speed.  
DS(ON)  
Features  
• 3.0 A, 80 V  
MARKING DIAGRAM  
♦ R  
♦ R  
= 77 mW @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 88 mW @ V = 6 V  
DS(ON)  
GS  
352 M  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• Low Gate Charge (13 nC Typical)  
DS(ON)  
1
• High Power and Current Handling Capability  
• Fast Switching Speed  
352 = Device Code  
M
= Date Code  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
PIN CONNECTION  
• DC/DC Converter  
1
2
3
6
5
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Gate−Source Voltage  
Ratings  
80  
Unit  
V
V
DSS  
GSS  
V
20  
V
I
D
Drain Current  
A
Continuous (Note 1a)  
Pulsed  
3.0  
20  
P
D
Maximum  
Power  
Dissipation  
W
(Note 1a)  
1.6  
ORDERING INFORMATION  
(Note 1b)  
0.8  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
RqJA  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
78  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
30  
°C/W  
1. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient resistance  
q
JA  
where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface  
of the drain pins. R is guaranteed by design while R is determined by  
q
q
CA  
JC  
the user’s board design.  
a. 78°C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz copper on FR−4 board.  
b. 156°C/W when mounted on a minimum pad.  
2
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
July, 2022 − Rev. 3  
FDC3512/D  
 
1234567

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