是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | S-PUFM-W4 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.73 |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 最小击穿电压: | 800 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JESD-30 代码: | S-PUFM-W4 |
最大非重复峰值正向电流: | 400 A | 元件数量: | 4 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 125 °C | 最大输出电流: | 35 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向电流: | 10 µA |
最大反向恢复时间: | 0.5 µs | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB3510 | DEC |
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35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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FDB3510P | DEC |
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35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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FDB3632 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз |
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FDB3632 | TYSEMI |
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rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul |
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FDB3632 | KEXIN |
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N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDB3632 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,80A,9mΩ |
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FDB3632_12 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΠ|
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FDB3632_F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΠ|
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FDB3632_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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FDB3632_SB82115 | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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