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FDB3632_NL

更新时间： 2024-01-09 01:17:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 241K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN

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FDB3632_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36雪崩能效等级（Eas）：393 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB3632_NL 数据手册

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November 2004  
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100V, 80A, 9mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Electronic Valve Train Systems  
D
S
S
D
D
G
G
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
S
G
D
DRAIN  
G
G
S
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
TO-263AB  
FDB SERIES  
TO-262AB  
FDI SERIES  
TO-247  
FDH SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 111oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
12  
A
A
ID  
Figure 4  
393  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.07  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263, TO-262,  
TO-247  
RθJC  
0.48  
oC/W  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247 (Note 2)  
62  
43  
30  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 Rev. C1  
1234567...11

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