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FDB3672_F085

更新时间： 2024-02-07 12:02:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 442K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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FDB3672_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A最大漏极电流 (ID)：7.2 A
最大漏源导通电阻：0.047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB3672_F085 数据手册

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January 2009  
FDB3672_F085  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100V, 44A, 28mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
•
•
r
= 24mΩ (Typ.), V = 10V, I = 44A  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
DS(ON)  
GS  
D
Q (tot) = 24nC (Typ.), V = 10V  
g
GS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection Systems  
42V Automotive Load Control  
Low Miller Charge  
Low Q Body Diode  
RR  
Optimized efficiency at high frequencies  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
RoHS Compliant  
Electronic Valve Train Systems  
Formerly developmental type 82760  
DRAIN  
D
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
G
TO-263AB  
FDB SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
44  
31  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 10V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, R = 43 C/W)  
θJA  
7.2  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
120  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
120  
D
o
o
Derate above 25 C  
0.8  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
1.25  
62  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263 (Note 2)  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
43  
C/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB3672_F085 Rev. A  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB3672-F085 ONSEMI

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 		100 V、44 A、24 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench
FDB3682 TYSEMI

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 		rDS(ON) =32m (Typ.), VGS = 10V, ID =32A Qg(tot) = 18.5nC (Typ.), VGS = 10V
FDB3682 KEXIN

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB3682 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
FDB3682 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，32A，36mΩ
FDB3682_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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 		FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
FDB-37SF HRS

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 		FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
FDB3860 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 30 A, 37
FDB38N30U ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，300 V，3

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