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FDB3632 PDF预览

FDB3632

更新时间： 2023-09-03 20:31:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 864K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，80A，9mΩ

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FDB3632 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36雪崩能效等级（Eas）：393 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB3632 数据手册

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MOSFET – Power, N-Channel,  
POWERTRENCHꢀ  
100 V, 80 A, 9 mW  
FDH3632, FDP3632,  
FDB3632  
www.onsemi.com  
Features  
• R  
= 7.5 mW (Typ.), V = 10 V, I = 80 A  
GS D  
DS(ON)  
• Q (tot) = 84 nC (Typ.), V = 10 V  
g
GS  
V
DSS  
R
MAX  
I MAX  
D
DS(ON)  
• Low Miller Charge  
• Low Q Body Diode  
100 V  
9 mW  
80 A  
rr  
• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D
S
Applications  
G
• Synchronous Rectification  
• Battery Protection Circuit  
• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies  
• Micro Solar Inverter  
TO−247−3  
CASE 340CK  
G
D
S
TO−220−3  
CASE 340AT  
G
D
S
D2PAK−3  
CASE 418AJ  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
FDX3632  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
FDX3632  
= Specific Device Code  
X = H/P/B  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
May, 2020 − Rev. 5  
FDP3632/D  
1234567...17

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FDB3632 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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