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FDB3632

更新时间： 2024-11-16 11:12:51

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	864K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，80A，9mΩ

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FDB3632 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TO-263AB, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.92
雪崩能效等级（Eas）：	337 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDB3632 数据手册

MOSFET – Power, N-Channel,

POWERTRENCH^ꢀ

100 V, 80 A, 9 mW

FDH3632, FDP3632,

FDB3632

www.onsemi.com

Features

• R

= 7.5 mW (Typ.), V = 10 V, I = 80 A

GS D

DS(ON)

• Q (tot) = 84 nC (Typ.), V = 10 V

DSS

MAX

I MAX

DS(ON)

• Low Miller Charge

• Low Q Body Diode

100 V

9 mW

80 A

• UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• Synchronous Rectification

• Battery Protection Circuit

• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies

• Micro Solar Inverter

TO−247−3

CASE 340CK

TO−220−3

CASE 340AT

D2PAK−3

CASE 418AJ

MARKING DIAGRAM

$Y&Z&3&K

FDX3632

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Data Code (Year & Week)

= Lot

FDX3632

= Specific Device Code

X = H/P/B

ORDERING INFORMATION

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this data sheet.

Publication Order Number:

May, 2020 − Rev. 5

FDP3632/D

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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