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FDB3632

更新时间： 2024-02-25 15:46:12

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关脉冲 PC
页数	文件大小	规格书
2页	221K
描述
rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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技术参数
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FDB3632 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	雪崩能效等级（Eas）：	393 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDB3632 数据手册

SMD Type

Product specification

KDB3632^(FDB3632)

TO-263

Unit: mm

Features

r^DS(ON)= 7.5m (Typ.), V^GS= 10V, I^D= 80A

Q^g(tot)= 84nC (Typ.), V^GS= 10V

Low Miller Charge

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Low Q^RRBody Diode

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

2 Drain

3 Source

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Symbol

V^DSS

Rating

100

Unit

V^GSS

Drain current-Continuous T^C111

T^A=25

I^D

Power dissipation

310

2.07

P^D

Derate above 25

Thermal Resistance Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Channel temperature

R^èJA

R^èJC

T^ch

0.48

175

Storage temperature

T^stg

-55 to +175

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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4008-318-123

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