型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB0105N407L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40 V,460A,0.8mΩ | |
FDB0165N807L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,310A,1.6mΩ | |
FDB016N04AL7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FDB016N04AL7 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,306A,1.6mΩ | |
FDB0170N607L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.4mΩ | |
FDB0190N807L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,270A,1.7mΩ | |
FDB024N04AL7 | FAIRCHILD |
获取价格 |
FDB024N04AL7 N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDB024N04AL7 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V, 219A, 2.4mΩ | |
FDB024N06 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,265A,2.4mΩ | |
FDB024N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4m |