FCX690BTC

更新时间： 2024-11-18 13:07:43

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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FCX690BTC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FCX690BTC 数据手册

SOT89 NPN SILICON POWER

FCX690B

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 1 - MARCH 1999

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

6A Peak Pulse Current

Gain of 400 @I_C=1Amp

Very Low Saturation Voltage

Complimentary Type -

Partmarking Detail -

FCX790A

690

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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