FCX790A

更新时间： 2024-11-18 11:57:07

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美台 - DIODES		晶体开关小信号双极晶体管
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3页	58K
描述
SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX790A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

FCX790A 数据手册

SOT89 PNP SILICON POWER

FCX790A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 2005

FEATURES

2 W P OWER DIS S IP ATION

6A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics

Low Saturation Voltages

Partm arking Detail -

790

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-50

-40

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Em itter Voltage

Em itter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

-6

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

I_C

-2

P_tot

†

‡

Operating and Storage Tem perature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recom m ended P_totcalculated using FR4 m easuring 15x15x0.6m m

Maxim um power dissipation is calculated assum ing that the device is m ounted on FR4

substrate m easuring 40x40x0.6m m and using com parable m easurem ent m ethods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice param eter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions when soldering surface m ount com ponents.

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