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FCX790A

更新时间： 2024-11-17 22:40:51

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捷特科 - ZETEX		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX790A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.92	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

FCX790A 数据手册

SOT89 PNP SILICON POWER

FCX790A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSUE 1 -JULY 2000

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

6A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics

Low Saturation Voltages

Partmarking Detail -

790A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-50

-40

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

-6

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-2

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions when soldering surface mount components.

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