FCX789ATA

更新时间： 2024-11-18 13:07:43

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美台 - DIODES		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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FCX789ATA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	2.3
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

FCX789ATA 数据手册

SOT89 PNP SILICON POWER

FCX789A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 1 -NOVEMBER 1998

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

8A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics up to 10 Amps

Low Saturation Voltage E.g. 10mv Typ.

Complimentary Type -

Partmarking Detail -

FCX688B

789

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-25

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

-8

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-3

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions when soldering surface mount components.

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