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EDJ2108BDBG-GN-F

更新时间： 2024-11-28 12:51:35

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尔必达 - ELPIDA		时钟
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Differential clock inputs

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EDJ2108BDBG-GN-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TFBGA,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.7
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	JESD-609代码：	e1
长度：	10.6 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	78	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	7.5 mm

EDJ2108BDBG-GN-F 数据手册

COVER

DATA SHEET

2G bits DDR3 SDRAM

EDJ2104BDBG (512M words × 4 bits)

EDJ2108BDBG (256M words × 8 bits)

Specifications

Features

• Density: 2G bits

• Organization

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

— 64M words × 4 bits × 8 banks (EDJ2104BDBG)

— 32M words × 8 bits × 8 banks (EDJ2108BDBG)

• Package

— 78-ball FBGA (EDJ2104BDBG, EDJ2108BDBG)

— Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD = 1.5V 0.075V

• Data rate

— 1866Mbps/1600Mbps/1333Mbps/1066Mbps/

800Mbps (max)

• 1KB page size

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

— Row address: A0 to A14

• Data mask (DM) for write data

— Column address: A0 to A9, A11 (EDJ2104BDBG)

A0 to A9 (EDJ2108BDBG)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• On-Die Termination (ODT) for better signal quality

— Synchronous ODT

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_15

— Dynamic ODT

— Asynchronous ODT

• Burst length (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• Burst type (BT):

• Multi Purpose Register (MPR) for pre-defined pattern

read out

— Sequential (8, 4 with BC)

— Interleave (8, 4 with BC)

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset function

• SRT range:

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13

• /CAS Write Latency (CWL): 5, 6, 7, 8, 9

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

— Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

• Driver strength: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

— Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

— TC = 0°C to +95°C

Document. No. E1772E40 (Ver. 4.0)

Date Published December 2012 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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