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EDJ2116DEBG-MU-F

更新时间： 2024-11-28 12:48:07

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
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描述
2G bits DDR3 SDRAM

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EDJ2116DEBG-MU-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	96
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.73
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	JESD-609代码：	e1
长度：	13.5 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

EDJ2116DEBG-MU-F 数据手册

COVER

DATA SHEET

2G bits DDR3 SDRAM

EDJ2108DEBG (256M words × 8 bits)

EDJ2116DEBG (128M words × 16 bits)

Specifications

Features

• Density: 2G bits

• Organization

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

— 32M words × 8 bits × 8 banks (EDJ2108DEBG)

— 16M words × 16 bits × 8 banks (EDJ2116DEBG)

• Package

— 78-ball FBGA (EDJ2108DEBG)

— 96-ball FBGA (EDJ2116DEBG)

— Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• Data rate

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions

— 2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps/1333Mbps (max)

• Spread Spectrum Clock (SSC)

— Sweep rate: down spread 1% (20kHz to 60kHz)

• 1KB page size (EDJ2108DEBG)

— Row address: A0 to A14

— Column address: A0 to A9

• 2KB page size (EDJ2116DEBG)

— Row address: A0 to A13

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• On-Die Termination (ODT) for better signal quality

— Synchronous ODT

— Dynamic ODT

— Asynchronous ODT

— Column address: A0 to A9

• Multi Purpose Register (MPR) for pre-defined pattern

read out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• /RESET pin for Power-up sequence and reset function

• SRT range:

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_15

• Burst length (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• Burst type (BT):

— Sequential (8, 4 with BC)

— Interleave (8, 4 with BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14

• /CAS Write Latency (CWL): 5, 6, 7, 8, 9, 10

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

— Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

• Seamless BL4 access with bank-grouping

— Applied only for DDR3-1333 and 1600

• Driver strength: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

— Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

— TC = 0°C to +95°C

Document. No. E1712E60 (Ver. 6.0)

Date Published October 2013 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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