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DSC2C01

更新时间： 2024-09-14 21:05:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	526K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

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DSC2C01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.72	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

DSC2C01 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSC2C01

Silicon NPN epitaxial planar type

For low frequency ampliﬁcation

 Features

 Package

ꢀCode

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini3-G3-B

ꢀPin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: C9

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

100

°C

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

200

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

100

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

V_CBOI_C= 10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= 1 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 mA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= 60 V, I_E= 0

V_CE= 60 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1



400

1200

0.20

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

f_TV_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.05

140

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classiﬁcation

Code

Rank

h_FE

400 to 800

C9R

600 to 1200

C9S

Marking Symbol

Publication date: July 2010

ZJC00469AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSC2C0100L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
DSC2C01R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOG
DSC2C01R0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
DSC2C01S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOG
DSC2C01S0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
DSC2F01	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND
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