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DSC2P01R0L

更新时间： 2024-09-14 20:40:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 773K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B-B, SC-59A, 3 PIN

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DSC2P01R0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B-B, SC-59A, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.82最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：8000JEDEC-95代码：TO-236AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DSC2P01R0L 数据手册

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DSC2P01  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
Unit: mm  
Darlington connection  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
Marking Symbol: E5  
Packaging  
DSC2P01×0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
1: Base  
60  
50  
2: Emitter  
3: Collector  
Panasonic  
JEITA  
V
Mini3-G3-B-B  
5
V
SC-59A  
500  
mA  
mA  
mW  
°C  
Code  
TO-236AA/SOT-23  
Peak collector current  
ICP  
750  
C
E
Total power dissipation  
PT  
200  
Junction temperature  
Tj  
150  
B
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
°C  
T
stg  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
60  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VCBO IC = 100 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 100 mA, IC = 0  
V
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB = 25 V, IE = 0  
100  
100  
nA  
nA  
V
VEB = 4 V, IC = 0  
1, 2  
Forward current transfer ratio *  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
4000  
20000  
2.5  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 0.5 mA  
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 0.5 mA  
1
Base-emitter saturation voltage *  
3.0  
V
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
Q
Q
R
R
hFE  
4000 to 10000 8000 to 20000  
E5Q E5R  
Marking Symbol  
Publication date: February 2014  
Ver. DED  
1
1234

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DSC2P01R0L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DSC2P01Q0L PANASONIC

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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