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DSC3F01

更新时间： 2024-11-05 14:51:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	326K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, 3 PIN

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DSC3F01 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1900 MHz
Base Number Matches：	1

DSC3F01 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSC3F01

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency ampliﬁcation

DSC9F01 in SSSMini3 type package

 Package

ꢀCode

 Features

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 High transition frequency f_T

SSSMini3-F2-B

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

ꢀPin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: C7

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

100

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 mA, I_C= 0

I_CBO

h_FE

V_CB= 10 V, I_E= 0



V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

220

0.5

V_CE(sat)I_C= 20 mA, I_B= 4 mA

f_T

V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

1.9

1.2

GHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 4 V, I_E= 0 , f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Collector-base parameter

r_bb' •C_CV_CE= 4 V, I_C= 5 mA, f = 31.9 MHz

C_rbV_CE= 4 V, I_C= 0 , f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common base)

0.6

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2011

Ver. AED

12 3

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