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DSC2P01Q

更新时间： 2024-09-14 19:59:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 492K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B-B, 3 PIN

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DSC2P01Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.73其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DSC2P01Q 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSC2P01  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
Darlington connection  
DSC8P01 in Mini3 type package  
Package  
ꢀCode  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
Mini3-G3-B-B  
ꢀPin Name  
1. Base  
Packaging  
2. Emitter  
3. Collector  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Marking Symbol: E5  
ꢀInternal Connection  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
60  
C
E
50  
5
V
V
B
500  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
ICP  
750  
Total power dissipation  
PT  
200  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
60  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VCBO IC = 100 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 100 mA, IC = 0  
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB = 25 V, IE = 0  
100  
100  
nA  
nA  
V
VEB = 4 V, IC = 0  
1, 2  
Forward current transfer ratio *  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
4000  
20000  
2.5  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 0.5 mA  
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 0.5 mA  
1
Base-emitter saturation voltage *  
3.0  
V
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
Q
Q
R
R
hFE  
4000 to 10000 8000 to 20000  
E5Q E5R  
Marking Symbol  
Publication date: January 2011  
Ver. CED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSC2P01Q0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
DSC2P01R PANASONIC

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