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DSC2F01Q0L

更新时间： 2024-09-14 19:57:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	497K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

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DSC2F01Q0L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1900 MHz
Base Number Matches：	1

DSC2F01Q0L 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSC2F01

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency ampliﬁcation

 Features

 Package

ꢀCode

 High transition frequency f_T

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini3-G3-B

ꢀPin Name

1. Base

 Packaging

2. Emitter

3. Collector

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: C7

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

200

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 mA, I_C= 0

I_CBO

h_FE

V_CB= 10 V, I_E= 0



V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

220

0.5

V_CE(sat)I_C= 20 mA, I_B= 4 mA

f_T

V_CE= 4 V, I_C= 5 mA

1.9

1.2

GHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 4 V, I_E= 0 , f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Collector-base parameter

r_bb' •C_CV_CE= 4 V, I_C= 5 mA, f = 31.9 MHz

C_rbV_CE= 4 V, I_C= 0 , f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

(Common base)

0.6

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classiﬁcation

Code

Rank

No-rank

75 to 220

h_FE

75 to 130

C7P

110 to 220

C7Q

Marking Symbol

Product of no-rank is not classiﬁed and have no marking symbol for rank.

Publication date: January 2011

Ver. BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS-C2O-3	RFSOLUTIONS	获取价格	Easy to Configure using SMS commands.
DSC2P01	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSC2P0100L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
DSC2P01Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSC2P01Q0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
DSC2P01R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSC2P01R0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
DSC3001	MICREL	获取价格	Low-Power Ultra-Miniature Oscillator
DSC300100L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSC3001HE1XXX.XXXXT	MICREL	获取价格	Low-Power Ultra-Miniature Oscillator

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