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DSC2F01

更新时间： 2024-09-14 19:57:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 486K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

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DSC2F01 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.78最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1900 MHz
Base Number Matches：1

DSC2F01 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSC2F01  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Features  
Package  
ꢀCode  
High transition frequency fT  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
Mini3-G3-B  
ꢀPin Name  
1. Base  
Packaging  
2. Emitter  
3. Collector  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Marking Symbol: C7  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
15  
10  
V
3
50  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
10  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 mA, IC = 0  
V
ICBO  
hFE  
VCB = 10 V, IE = 0  
1
mA  
VCE = 4 V, IC = 5 mA  
75  
220  
0.5  
VCE(sat) IC = 20 mA, IB = 4 mA  
V
fT  
VCE = 4 V, IC = 5 mA  
1.9  
1.2  
12  
GHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 4 V, IE = 0 , f = 1 MHz  
pF  
ps  
(Common base, input open circuited)  
Collector-base parameter  
rbb' •CC VCE = 4 V, IC = 5 mA, f = 31.9 MHz  
Crb VCE = 4 V, IC = 0 , f = 1 MHz  
Reverse transfer capacitance  
(Common base)  
0.6  
pF  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Code  
Rank  
P
P
Q
Q
0
No-rank  
75 to 220  
C7  
hFE  
75 to 130  
C7P  
110 to 220  
C7Q  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: January 2011  
Ver. BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSC2F0100L PANASONIC

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