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DSC2C01R0L

更新时间： 2024-09-14 20:08:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 767K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PIN

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DSC2C01R0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：7.8最大集电极电流 (IC)：0.02 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-236AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

DSC2C01R0L 数据手册

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DSC2C01  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
For low frequency amplification  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
Marking Symbol: C9  
Packaging  
DSC2C01×0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
100  
Unit  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Panasonic  
JEITA  
100  
V
Mini3-G3-B  
15  
V
SC-59A  
Code  
TO-236AA/SOT-23  
20  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
ICP  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
Tj  
150  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
°C  
T
stg  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
100  
100  
15  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
VCBO IC = 10 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 mA, IC = 0  
V
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCE = 60 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.1  
1
mA  
mA  
1
Forward current transfer ratio *  
400  
1200  
0.20  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA  
fT VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.05  
140  
V
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
hFE  
400 to 800  
C9R  
600 to 1200  
C9S  
Marking Symbol  
Publication date: February 2014  
Ver. BED  
1
1234

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