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DN2530ND

更新时间： 2024-11-05 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 输入元件开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 32K
描述
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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DN2530ND 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
其他特性：HIGH INPUT IMPEDANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：X-XUUC-N
JESD-609代码：e0元件数量：1
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DN2530ND 数据手册

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DN2530  
Preliminary  
N-Channel Depletion-Mode  
Vertical DMOS FETs  
Ordering Information  
Order Number / Package  
BVDSX  
/
RDS(ON)  
(max)  
IDSS  
BVDGX  
(min)  
TO-92  
TO-243AA*  
Die  
300V  
12Ω  
200mA  
DN2530N3  
DN2530N8  
DN2530ND  
* Same as SOT-89. Product shipped on 2000 piece carrier tape reels.  
Advanced DMOS Technology  
Features  
These depletion-mode (normally-on) transistors utilize an ad-  
vanced vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven  
silicon-gate manufacturing process. This combination produces  
devices with the power handling capabilities of bipolar transis-  
tors and with the high input impedance and positive temperature  
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS  
structures, these devices are free from thermal runaway and  
thermally-induced secondary breakdown.  
High input impedance  
Low input capacitance  
Fast switching speeds  
Low on resistance  
Free from secondary breakdown  
Low input and output leakage  
Supertex’sverticalDMOSFETsareideallysuitedtoawiderange  
of switching and amplifying applications where high breakdown  
voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast  
switching speeds are desired.  
Applications  
Normally-on switches  
Solid state relays  
Converters  
Package Options  
Linear amplifiers  
Constant current sources  
Power supply circuits  
Telecom  
D
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Drain-to-Source Voltage  
TO-243AA  
(SOT-89)  
S G D  
BVDSX  
BVDGX  
± 20V  
TO-92  
Drain-to-Gate Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Operating and Storage Temperature  
-55°C to +150°C  
300°C  
Soldering Temperature*  
* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.  
Note: See Package Outline section for dimensions.  
8-1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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