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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DN2535N5-G
DN2535N5-G PDF预览

DN2535N5-G

更新时间： 2024-11-09 03:04:19
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 727K
描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2535N5-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.85Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：15 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.5 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DN2535N5-G 数据手册

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DN2535  
N-Channel Depletion-Mode  
Vertical DMOS FETs  
Features  
General Description  
The Supertex DN2535 is a low threshold depletion mode  
(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical  
DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate  
manufacturing process. This combination produces a device  
with the power handling capabilities of bipolar transistors  
and with the high input impedance and positive temperature  
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all  
MOS structures, this device is free from thermal runaway and  
thermally-induced secondary breakdown.  
► High input impedance  
► Low input capacitance  
► Fast switching speeds  
► Low on resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
Applications  
► Normally-on switches  
► Solid state relays  
► Converters  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
high breakdown voltage, high input impedance, low input  
capacitance, and fast switching speeds are desired.  
► Linear amplifiers  
► Constant current sources  
► Power supply circuits  
► Telecom  
Ordering Information  
Device  
RDS(ON)  
IDSS  
Package Options  
TO-92 TO-220  
DN2535N3-G DN2535N5-G  
BVDSX/BVDGX  
max  
min  
(V)  
(Ω)  
(mA)  
DN2535  
350  
25  
150  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
(1) Same as SOT-89.  
Pin Configurations  
DRAIN  
SOURCE  
GATE  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
SOURCE  
DRAIN  
DRAIN  
Value  
BVDSX  
BVDGX  
20V  
GATE  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Gate-to-source voltage  
Operating and storage  
3-Lead TO-92 (N3)  
3-Lead TO-220 (N5)  
Product Marking  
-55OC to +150OC  
DN  
2535  
YYWW  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
= “Green” Packaging  
temperature  
Soldering temperature*  
300OC  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the  
device may occur. Functional operation under these conditions is not implied.  
Continuous operation of the device at the absolute rating level may affect  
device reliability. All voltages are referenced to device ground.  
3-Lead TO-92 (N3)  
L = Lot Number  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
DN2535N5  
*Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
LLLLLLLLL  
YYWW  
= “Green” Packaging  
3-Lead TO-220 (N5)  
123456

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DN2535N5-G 替代型号

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