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DN2535N8 PDF预览

DN2535N8

更新时间： 2024-11-06 15:31:03
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 544K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA, N8, SAME AS SOT-89, 3 PIN

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DN2535N8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.15其他特性：LOW THRESHOLD
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (ID)：0.17 A最大漏源导通电阻：25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-243AA
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.5 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DN2535N8 数据手册

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DN2535/DN2540  
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs  
Features  
General Description  
TheSupertex DN2535andDN2540arelowthresholddepletion-  
mode (normally-on) transistors utilizing an advanced vertical  
DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate  
manufacturing process. This combination produces devices  
with the power handling capabilities of bipolar transistors  
and with the high input impedance and positive temperature  
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS  
structures, these devices are free from thermal runaway and  
thermally-induced secondary breakdown.  
► High input impedance  
► Low input capacitance  
► Fast switching speeds  
► Low on resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
Applications  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
high breakdown voltage, high input impedance, low input  
capacitance, and fast switching speeds are desired.  
► Normally-on switches  
► Solid state relays  
► Converters  
► Linear amplifiers  
► Constant current sources  
► Power supply circuits  
► Telecom  
Product marking for TO-243AA:  
DN5D  
where = 2-week alpha date code  
Ordering Information  
Package Options  
BVDSX  
/
RDS(ON)  
IDSS  
TO-92  
TO-220  
TO-243AA1  
DN2535N8  
(max)  
(min)  
BVDGX  
DN2535N3  
DN2535N3-G  
DN2540N3  
DN2540N3-G  
DN2535N5  
DN2535N5-G  
DN2540N5  
DN2540N5-G  
350V  
25Ω  
150mA  
DN2535N8-G  
DN2540N8  
400V  
25Ω  
150mA  
DN2540N8-G  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
1Same as SOT-89.  
Pin Configurations  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
D
Value  
BVDSX  
BVDGX  
20V  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Gate-to-source voltage  
Operating and storage  
temperature  
-55OC to +150OC  
Soldering temperature*  
300OC  
D G S  
G
S
D
G
S
D
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
TO-92  
TO-220  
TO-243AA  
(front view)  
(front view)  
(top view)  
*Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
123456

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与DN2535N8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DN2535N8-G SUPERTEX

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi
DN2535ND ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP
DN2540 SUPERTEX

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 		N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
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