DN2540N3-G

更新时间： 2024-11-06 02:52:23

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
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8页	814K
描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2540N3-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.86	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	0.12 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DN2540N3-G 数据手册

DN2540

N-Channel Depletion-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

The Supertex DN2540 is a low threshold depletion mode

(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical

DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces a device

with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefﬁcient inherent in MOS devices. Characteristic of all

MOS structures, this device is free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

► High input impedance

► Low input capacitance

► Fast switching speeds

► Low on resistance

► Free from secondary breakdown

► Low input and output leakage

Applications

► Normally-on switches

► Solid state relays

► Converters

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

high breakdown voltage, high input impedance, low input

capacitance, and fast switching speeds are desired.

► Linear ampliﬁers

► Constant current sources

► Power supply circuits

► Telecom

Ordering Information

R_DS(ON)

max

(Ω)

I_DSS

min

(mA)

Package Options

BV_DSX/BV_DGX

Device

TO-92

TO-220

TO-243AA⁽¹⁾

(V)

DN2540

DN2540N3-G

DN2540N5-G

DN2540N8-G

400

150

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

(1) Same as SOT-89.

Pin Conﬁgurations

DRAIN

Absolute Maximum Ratings

Parameter

SOURCE

DRAIN

Value

BV_DSX

BV_DGX

20V

SOURCE

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage

GATE

DRAIN

3-Lead TO-220 (N5)

3-Lead TO-92 (N3)

-55^OC to +150^OC

temperature

Soldering temperature*

300^OC

DRAIN

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the

device may occur. Functional operation under these conditions is not implied.

Continuous operation of the device at the absolute rating level may affect

device reliability. All voltages are referenced to device ground.

SOURCE

DRAIN

GATE

3-Lead TO-243AA (N8)

*Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DN2540N3-GP002	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
DN2540N3-GP003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi
DN2540N3-GP005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi
DN2540N3-GP013	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi
DN2540N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi
DN2540N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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DN2540N3P004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
DN2540N3P005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
DN2540N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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