5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DN2535N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| DN2535N5-G | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| DN2535N8 | SUPERTEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
|
| DN2535N8-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxi |
|
| DN2535ND | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
|
| DN2540 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| DN2540 | MICROCHIP |
获取价格 |
DN2540 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced v |
|
| DN2540_07 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| DN2540_13 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| DN2540N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
